Bright K. Banzie

University of Mines and Technology

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Condensed Matter Physics
Electrical and Electronic Engineering

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A new discrete GaN-based dv/dt control circuit for megahertz frequency power converters
2025e-Prime - Advances in Electrical Engineering Electronics and EnergyRevistaAcesso abertoPrimeiro autorAutor correspondente1 citação10.1016/j.prime.2025.100917
A High-Gain, High-Bandwidth, Bidirectional Discrete GaN-Based SyncFET dv/dt Sensor for MHz Power Converters

Tópicos mais tratados

GaN-based semiconductor devices and materials2
Silicon Carbide Semiconductor Technologies2
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Mais citados

A new discrete GaN-based dv/dt control circuit for megahertz frequency power converters
e-Prime - Advances in Electrical Engineering Electronics and Energy7
20251 citaçãoAcesso aberto · Dourado
A High-Gain, High-Bandwidth, Bidirectional Discrete GaN-Based SyncFET dv/dt Sensor for MHz Power Converters
Power Electronics and Drives
20250 citaçõesAcesso aberto · Diamante

Power Electronics and Drives