Artigo · Revista · 2023

Electrical Characterization of InGaZnO-Based Thin Film Transistor fabricated by Three-mask Process

FUOYE Journal of Engineering and Technology

Citações: 2de outros trabalhos
Impacto normalizado por área: 0,161,00 é a média mundial para a sua área e o seu ano
Na sua área: Percentil 42pelas citações, face aos trabalhos da sua área e do seu ano
Autores: 2de 1 instituição

Autores

2 autores